耿氏效應 2024 概念懶人包 LINE/TikTok/Facebook 討論到幾樓?

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什么是耿氏效应

此为半导体物理学中的概念。耿氏效应:n型砷化镓两端电极上加以电压.当电压高到某一值时,半导体电流便以很高频率振荡,这个效应称为耿氏效应.

光激发单极畴与耿氏偶极畴的物理机制比较

由王馨梅著作·2008·被引用2次—电流便以很高的频率振荡,这个效应被称为耿氏效应,.这种狀型器件被称为耿氏器件,器件内电荷聚集所形成.的畴称为耿氏畴.耿氏效应的本质是发生了能谷间电子.转移 ...

基于耿氏效应的太赫兹器件的研究进展

摘要:介绍基于耿氏效应的器件在太赫兹领域的研究,详细地阐述耿氏二级管的原理、工.艺流程、关键技术的解决和耿氏二极管频率和功率的提高等。重点介绍耿氏 ...

氮化镓耿氏二极管最高工作频率计算

2018年12月6日—在耿氏效应中,材料中的载流子必须积累到一定的能量,才能从其主能谷跃迁到其卫星能谷中。如果是通过外加电场给载流子提供能量,那么载流子就必须通过 ...

甘恩二極體

這意味著甘恩二極體具有負阻(Negativeresistance)效應,或稱負微分電阻(Negativedifferentialresistance)。「甘恩二極體」的各地常用別名.中國大陸,耿氏二極管.

甘恩二極體

這意味著甘恩二極體具有負阻(Negativeresistance)效應,或稱負微分電阻(Negativedifferentialresistance)。「甘恩二極體」的各地常用名稱.中國大陸,耿氏二極管.

甘恩二極體

甘恩二極體、剛氏二極體(英語:Gunndiode,中國大陸作耿氏二極管,香港作耿氏二極體),...這意味著甘恩二極體具有負阻(Negativeresistance)效應,或稱負微分 ...

耿[氏]效應振盪器

耿[氏]效應振盪器(Gunneffectoscillator)是1993年公佈的電子學名詞。

耿式器件

产品简介.耿氏效应(Gunneffect)是1963年,由耿氏(J.B.Gunn)发现的一种效应。当高于临界值的恒定直流电压加到一小块N型砷化镓相对面的接触电极上时,便产生微波 ...

耿氏二极管

这意味着耿氏二极管具有负阻(Negativeresistance)效应,或称负微分电阻(Negativedifferentialresistance)。工作原理.利用负微分电阻性质与中间层的时间特性,可以 ...

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