n型砷化镓两端电极上加以电压。当电压高到某一值时，半导体电流便以很高频率振荡，这个效应称为耿氏效应。
耿氏效应（Gunneffect）是1963年，由耿氏(J．B．Gunn)发现的一种效应。当高于临界值的恒定直流电压加到一小块N型砷化镓相对面的接触电极上时，便产生微波振荡 ...
耿氏效應（Gunneffect）是1963年，由耿氏(J．B．Gunn)發現的一種效應。當高於臨界值的恆定直流電壓加到一小塊N型砷化鎵相對面的接觸電極上時，便產生微波振盪。
耿氏效應（Gunneffect）是1963年，由耿氏(J．B．Gunn)發現的一種效應。當高於臨界值的恆定直流電壓加到一小塊N型砷化鎵相對面的接觸電極上時，便產生微波振盪。
耿氏效應(Gunneffect)是1963年，由耿氏(J.B.Gunn)發現的一種效應。當高於臨界值的恆定直流電壓加到一小塊N型砷化鎵相對面的接觸電極上時，便產生微波振盪。
耿氏效應（Gunneffect）是1963年，由耿氏(J．B．Gunn)發現的一種效應。當高於臨界值的恆定直流電壓加到一小塊N型砷化鎵相對面的接觸電極上時，便產生微波振盪。
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耿氏效應（Gunneffect）是1963年，由耿氏(J．B．Gunn)發現的一種效應。當高於臨界值的恆定直流電壓加到一小塊N型砷化鎵相對面的接觸電極上時，便產生微波振盪。